新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布發布3納米（nm）全環柵（GAA）AMS設計參考流程，為開發者提供一整套從前端到后端的設計方法，以使用新思科技定制設計平臺來設計模擬和混合信號電路。該方法已經過優化，可以為使用三星3nm GAA節點工藝技術的5G、HPC、AI和IoT等先進應用開發者，提供最高的設計效率。

先進節點的復雜性驅使開發者尋找縮短設計周期的新方法。通過緊密合作，新思科技和三星提供了經過優化的流程，可克服設計復雜性并為3nm GAA設計提供最佳的生產率。該流程的主要功能包括設計中的電遷移分析，可通過版圖完成之前提供準確的電遷移分析來縮短設計完成時間。它還包括新思科技IC Validator物理驗證解決方案中的實時設計規則檢查（DRC），使版圖工程師可以在工作時直接從版圖畫布中快速檢查是否違反設計規則。

AMS參考流程為3nm GAA流程技術的設計提供一種行之有效的方法。該方法已得到三星的驗證，包括一整套文件化的流程和設計實例。涵蓋的主題包括設計輸入、電路仿真、蒙特卡洛分析、噪聲分析、RF分析、老化和EM/IR分析、寄生參數仿真、定制版圖和簽核。

新思科技定制設計平臺以Custom Compiler?設計和版圖環境為基礎，包括HSPICE®電路仿真器、FineSim®電路仿真器、CustomSim? FastSPICE電路仿真器、Custom WaveView?波形顯示器、StarRC?寄生參數提取以及IC Validator物理驗證。該平臺具有原生集成的StarRC提取功能，可提供寄生參數對電路行為、性能影響的早期反饋，并具有開創性的視覺輔助版圖自動化功能，從而簡化先進節點版圖的創建。

（美通社,2020年11月25日加利福尼亞州山景城）