英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）正在通過在寬帶隙（SiC和GaN）半導體領域增加重要的生產能力，以加強其在功率半導體領域的市場領先地位。公司投資超過20億歐元，在其位于馬來西亞居林的工廠建造第三個模塊。建造完成后，新模塊將以碳化硅和氮化鎵為基礎的產品創造20億歐元的額外年收入。施工將于6月開始，第一批晶圓將在2024年下半年下線。根據公司的長期制造戰略，此次擴建將受益于居林200毫米制造廠已經取得的良好規模經濟。它將補充英飛凌在奧地利維拉赫和德國德累斯頓的300毫米生產基地在硅方面的領先地位。（美通社,2022年2月17日德國慕尼黑和馬來西亞居林）
