加利福尼亞山景城和日本橫濱2021年1月13日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼：SNPS）和Socionext（索喜科技）今日宣布擴展雙方合作，基于新思科技的DesignWare® IP組合，Socionext還將使用新思科技的HBM2E IP，以在人工智能和高性能計算（HPC）)應用中實現最大的內存吞吐量。新思科技的HBM2E IP運行速度為3.6Gbps，能夠滿足Socionext創新AI引擎和加速器片上系統（SoC）對于容量、功耗和計算性能的嚴苛要求。新思科技的IP提供了高效的異構集成和最短的2.5D中介層封裝連接。
Socionext汽車與工業業務集團副總裁Yutaka Hayashi表示：“作為SoC解決方案領域的全球領導者，我們所提供的產品具有差異化功能，因此也面臨著非常緊迫的交付期限。利用新思科技的DesignWare HBM2E IP和集成的全系統多裸晶片設計平臺，Socionext得以向市場提供世界級高性能、高容量和低能耗的5nm FinFET工藝SoC。我們還將與新思科技開展合作，部署其下一代DesignWare IP解決方案，如HBM3。”
DesignWare HBM2E PHY IP可提供每秒460 GB的聚合帶寬，能夠滿足先進FinFET工藝SoC對海量計算性能的要求。HBM2E IP是新思科技全面內存接口IP解決方案的一部分，該解決方案包括DDR5/4/3/2和LPDDR5/4/4X/3/2 IP，已在數百個設計中得到驗證，并有數百萬顆SoC發貨。
新思科技IP營銷和戰略高級副總裁John Koeter表示：“作為領先的內存接口IP提供商，新思科技為Socionext等諸多創新公司提供極具競爭力的HBM2/2E IP解決方案，協助其應對高級高性能計算SoC對功耗和內存帶寬的巨大需求。新思科技的硅驗證DesignWare HBM2/2E IP核擁有超過25個投產設計和量產客戶，設計者能夠放心地將IP集成到他們的SoC中，并更快取得硅片的成功。”
可用資源
新思科技DesignWare HBM2/2E IP現可廣泛用于從16納米到5納米的工藝中。更多信息，請訪問DesignWare HBM2/2E IP核和3DIC Compiler：適用于封裝中端對端多裸晶芯片集成的統一平臺網頁。
