北京2026年4月22日 /美通社/ -- 近日，第十一屆電子設(shè)計創(chuàng)新大會（EDICON 2026）在北京召開。作為全球微波與射頻領(lǐng)域的權(quán)威盛會，EDICON匯聚了產(chǎn)業(yè)鏈上下游的頂尖專家，共同探討下一代通信技術(shù)的演進路徑。三安光電旗下子公司三安集成受邀出席，并發(fā)表了題為《三安射頻技術(shù)在下一代應(yīng)用中的布局》的技術(shù)報告，深入分享了其在砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）及濾波器領(lǐng)域的最新工藝進展。

隨著3GPP R18至R20標準的演進，R21發(fā)布在即，行業(yè)對5G-A/6G網(wǎng)絡(luò)的能力展開充分研討，射頻前端器件因此正面臨性能與設(shè)計的嚴峻挑戰(zhàn)。未來的射頻設(shè)計需在R19/R20等新標準下實現(xiàn)更高的功率等級（Power Class），同時非地面網(wǎng)絡(luò)（NTN）等新應(yīng)用場景也對輸出功率及隔離度提出嚴苛指標。

此外，隨著載波聚合（CA）技術(shù)及4G/5G協(xié)同雙連接（ENDC）的普及，射頻鏈路需在更小的物理尺寸內(nèi)支持更大的帶寬和輸出功率，導(dǎo)致功放器件熱密度急劇上升。如何在提升功率附加效率（PAE）的同時，解決高功率下的熱耦合與可靠性問題，已成為當前射頻工程師亟待攻克的核心痛點。

針對上述挑戰(zhàn)，三安集成在報告中詳細展示了最新一代砷化鎵工藝HP56的性能表現(xiàn)。對比三安的前代工藝，HP56在3.5GHz頻段下保持良好線性度的同時，實現(xiàn)了更高的功率增益和更優(yōu)越的最大功率附加效率，相比前代HP12工藝，增益提升了2.6dB，效率提升了2.6%，能夠有效支持甚高頻及更大帶寬調(diào)制信號放大并顯著降低PA功耗。

報告同時客觀指出，隨著功率密度的提升，芯片會面臨更明顯的熱失控（Thermal Runaway）風險。對此，三安集成通過仿真與實測，提出了具體的工藝優(yōu)化建議，通過調(diào)整結(jié)構(gòu)和金屬間距，可以有效降低結(jié)溫，緩解熱耦合效應(yīng)，為設(shè)計客戶解決高功率下的可靠性問題提供了切實可行的參考方案。

面向商業(yè)航天、非地面通信等未來高頻通信應(yīng)用場景，三安集成也同步展示了在氮化鎵工藝與濾波器產(chǎn)品上的技術(shù)布局：

• 氮化鎵（GaN）技術(shù)：新一代工藝重點針對功率密度與電流崩塌效應(yīng)進行了優(yōu)化，旨在通過外延與工藝的代際升級，實現(xiàn)效率與可靠性的雙重提升，以滿足民用基站及商用航天對高效率的迫切需求。
• 濾波器產(chǎn)品：公司的1109 NTN SAW濾波器系列已覆蓋n256頻段及BDS接收頻段，能夠針對性解決衛(wèi)星通信中現(xiàn)網(wǎng)共存頻段臨近過密、邊帶抑制要求高的技術(shù)難點，同時帶內(nèi)插損僅為1dB左右，為天地一體化通信提供關(guān)鍵支持。

三安集成將持續(xù)投入射頻工藝研發(fā)，以客戶需求為中心，為全球客戶提供高性能、高可靠性的射頻制造方案，助力下一代無線通信技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。